N-Kanal IGBT IRG4PF50WPBF, 900 V 51 A, TO-247AC 3-Pin Einfach

  • RS Best.-Nr. 124-8979
  • Herst. Teile-Nr. IRG4PF50WPBF
  • Marke Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MX
Produktdetails

Einfach-IGBT über 21 A, Infineon

Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Verwendung von FRED-Dioden optimiert die beste Leistung mit IGBTs

IGBT-Transistoren, International Rectifier

International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 51 A
Kollektor-Emitter- 900 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Gehäusegröße TO-247AC
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 15.9mm
Breite 5.3mm
Höhe 20.3mm
Abmessungen 15.9 x 5.3 x 20.3mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
575 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 25)
CHF .3.253
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 +
CHF.3.253
CHF.81.467
*Bitte VPE beachten