- RS Best.-Nr.:
- 150-1500
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTH80TS65DGC11
- Marke:
- ROHM
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- RGTH80TS65DGC11
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, Hochgeschwindigkeitsschalten, Niedrige Schaltverluste und weiches Schalten, integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie), bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±30V |
Verlustleistung max. | 234 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-247N |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16 x 5 x 21mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Gate-Kapazität | 85pF |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 150-1500
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTH80TS65DGC11
- Marke:
- ROHM