- RS Best.-Nr.:
- 164-6956
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20N45LZAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
Diese anwendungsspezifische IGBT nutzt modernste PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb in der rauen KFZ-Zündanlagenumgebung optimiert wurde. Diese Geräte weisen eine sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe SCIS-Leistungsfähigkeit über einen großen Betriebstemperaturbereich auf. Außerdem bedeutet ein ESD-geschützter Logikebenen-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand, dass keine externe Schutzschaltung erforderlich ist.
SCIS-Leistung von 300 mJ bei TJ = 25 °CTeile sind zu 100 % SCIS-geprüftESD-Gate-Emitter-SchutzGate-Kollektor-HochspannungsbegrenzungLogikebenen-Gate-AnsteuerungSehr niedrige SättigungsspannungHohe ImpulsstrombelastbarkeitGate- und Gate-Emitter-Widerstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 25 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 475 V |
Gate-Source Spannung max. | 16V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | D2PAK |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.35mm |
Nennleistung | 300mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Kapazität | 1011pF |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
- RS Best.-Nr.:
- 164-6956
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20N45LZAG
- Marke:
- STMicroelectronics