- RS Best.-Nr.:
- 165-3233
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT15H60F
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 165-3233
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT15H60F
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 600-V-IGBT der Serie H basiert auf Trench-Field-Stop-Technologie (TFS) und bietet eine sehr niedrige Sättigungsspannung (bis auf 1,5 V) mit minimalem Kollektor-Ausschaltendstrom und einer maximalen Betriebstemperatur an der Sperrschicht von 175 °C, um die Effizienz von Haushaltsgeräten mit mittlerer Frequenz zu verbessern. Strenge Kontrollparameter in Verbindung mit einer VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizient ermöglichen eine sichere Parallelschaltung mehrerer IGBTs für höhere Leistungsanforderungen und zur Vereinfachung des Designs.
IGBT-Serie mit mittlerer Geschwindigkeit, optimiert für Haushaltsgeräte (8 bis 30 kHz)
Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit dank einer erweiterten max. Betriebstemperatur an der Sperrschicht von 175 °C und 600 V Durchschlagsspannung
Sehr niedrige Sättigungsspannung (bis auf 1,5 V) für erhöhte Effizienz
Positiver Temperaturkoeffizient für sichere Parallelschaltung von mehreren IGBTs
Optimierte Diode für Zielanwendungen (geringe EMI und schnelle Erholzeit)
Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit dank einer erweiterten max. Betriebstemperatur an der Sperrschicht von 175 °C und 600 V Durchschlagsspannung
Sehr niedrige Sättigungsspannung (bis auf 1,5 V) für erhöhte Effizienz
Positiver Temperaturkoeffizient für sichere Parallelschaltung von mehreren IGBTs
Optimierte Diode für Zielanwendungen (geringe EMI und schnelle Erholzeit)
Hochgeschwindigkeitsschalten
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A @ +25°C |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Verlustleistung max. | 115 W |
Gehäusegröße | TO |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Nennleistung | 553mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Kapazität | 1952pF |