onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 166-2181
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA60N65SMD
- Marke:
- onsemi
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
CHF.4.389
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 90 | CHF.4.389 | CHF.131.544 |
| 120 - 240 | CHF.3.854 | CHF.115.637 |
| 270 - 480 | CHF.3.759 | CHF.112.865 |
| 510 + | CHF.3.339 | CHF.100.233 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 166-2181
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA60N65SMD
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 120 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 600 W |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2181
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA60N65SMD
- Marke:
- onsemi