Fuji Electric IGBT / 50 A ±20V max., 600 V 360 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4685
- Herst. Teile-Nr.:
- FGW50N60HD
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-4685
- Herst. Teile-Nr.:
- FGW50N60HD
- Marke:
- Fuji Electric
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
IGBT, diskret, Fuji Electric
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 360 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.9 x 5.03 x 20.95mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |