- RS Best.-Nr.:
- 168-4691
- Herst. Teile-Nr.:
- FGW15N120VD
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-4691
- Herst. Teile-Nr.:
- FGW15N120VD
- Marke:
- Fuji Electric
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
IGBT, diskret, Fuji Electric
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 15 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 155 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.9 x 5.03 x 20.95mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |