- RS Best.-Nr.:
- 168-7005
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Verfügbarkeitsanzeige zurzeit leider nicht möglich - bitte versuchen Sie es später erneut.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
CHF.3.444
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
30 - 30 | CHF.3.444 | CHF.103.415 |
60 - 120 | CHF.3.329 | CHF.99.729 |
150 + | CHF.3.245 | CHF.97.241 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7005
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 375 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7005
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics