Littelfuse IGBT / 20 A ±15V max., 365 V 165 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 171-0129
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207BNT4G
- Marke:
- Littelfuse
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
CHF.0.494
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 800 + | CHF.0.494 | CHF.393.12 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 171-0129
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207BNT4G
- Marke:
- Littelfuse
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 365 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±15V |
| Verlustleistung max. | 165 W |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 171-0129
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207BNT4G
- Marke:
- Littelfuse