onsemi IGBT 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 181-1935
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH75T65SQDTL4
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 181-1935
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH75T65SQDTL4
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 4. Generation von ON Semiconductor optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.
Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A
100 % der Teile getestet für ILM(1)
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A
100 % der Teile getestet für ILM(1)
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | P |
| Pinanzahl | 4 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.8 x 5.2 x 22.74mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |