DiodesZetex IGBT / 100 A, 200 A (Impuls) ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 182-6873
- Herst. Teile-Nr.:
- DGTD65T50S1PT
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 182-6873
- Herst. Teile-Nr.:
- DGTD65T50S1PT
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Das Modell DGTD65T50S1PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie und bietet daher ausgezeichnete Qualität und hohe Schaltleistung.
Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Leistungsverlust
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 50A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 80 ns (typ) @ diF/dt = 1000 A/μs
Eoff = 0,55mJ @ TC = 25 °C
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 50A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 80 ns (typ) @ diF/dt = 1000 A/μs
Eoff = 0,55mJ @ TC = 25 °C
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A, 200 A (Impuls) |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Gate-Kapazität | 4453pF |