DiodesZetex IGBT / 100 A, 180 A (Impuls) ±20V max., 650 V 428 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 182-6874
- Herst. Teile-Nr.:
- DGTD65T60S2PT
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 182-6874
- Herst. Teile-Nr.:
- DGTD65T60S2PT
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Das Modell DGTD65T60S2PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie der 2ten Generation, und bietet deshalb nicht nur eine hohe Schalteffizienz, sondern ist auch extrem robust und von ausgezeichneter Qualität. Besonders geeignet für Anwendungen, bei denen niedrige Leitungsverluste unentbehrlich sind.
Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Leistungsverlust
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 60A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 110 ns (typ) @ diF/dt = 500 A/μs
Eoff = 0,53mJ @ TC = 25 °C
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 60A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 110 ns (typ) @ diF/dt = 500 A/μs
Eoff = 0,53mJ @ TC = 25 °C
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A, 180 A (Impuls) |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 428 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Gate-Kapazität | 2327pF |