- RS Best.-Nr.:
- 184-7654
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTVX6TS65DGC11
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 184-7654
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTVX6TS65DGC11
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
RGTVX6TS65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für Leistungsfaktorkorrektur, Solarwechselrichter, UPS, Schweißen, IH-Anwendungen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für weiche Wiederherstellung
Bleifreie Beschichtung
Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für weiche Wiederherstellung
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 144 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±30V |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Verlustleistung max. | 404 W |
Gehäusegröße | TO-247N |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16 x 5 x 21mm |
Betriebstemperatur max. | 175 °C |
Nennleistung | 119.3mJ |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Gate-Kapazität | 184pF |