- RS Best.-Nr.:
- 185-7972
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGB40T65SQDN
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 185-7972
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGB40T65SQDN
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Einsatz des neuartigen Feldstops IGBT-Technologie der 4. Generation. AFGB40T65SQDN bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsdämpfung und Schaltdämpfung für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A
Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit
Für die Automobilindustrie
Geringer Leitungsverlust
Geringes Rauschen und Leitungsverlust
Anwendungen
Kfz-Bordgebühr
KFZ-DC/DC-Wandler für HEV
Endprodukte
EV/PHEV
Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit
Für die Automobilindustrie
Geringer Leitungsverlust
Geringes Rauschen und Leitungsverlust
Anwendungen
Kfz-Bordgebühr
KFZ-DC/DC-Wandler für HEV
Endprodukte
EV/PHEV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Verlustleistung max. | 238 W |
Gehäusegröße | D2PAK |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Gate-Kapazität | 2495pF |
Nennleistung | 22.3mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |