onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 185-7999
Herst. Teile-Nr.:: FGAF40S65AQ
Marke:: onsemi

onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal

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Datasheet FGAF40S65AQ

Rechtliche Anforderungen

Nicht-konform

Ursprungsland:: KR

Produktdetails

Mit der neuartigen Feldstop-IGBT-Technologie bietet die neue Feldstopp-Baureihe von ON Semiconductor der 4. Generation von RC IGBTs die optimale Leistung für Umrichter-PFC-Stufe von Consumer-Anwendungen und industriellen Anwendungen.

Maximale Abschlusstemperatur: TJ = 175 °C.
Positiv temperiert koeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6V(typ.) @ IC = 40A
Hohe Eingangsimpedanz
100 % der Teile wurden auf ILM getestet
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verschärfte Parameterverteilung
IGBT mit monolithischer Rückleiterdiode
Anwendungen
Haushaltsgeräte
PFC, Schweißgerät
Industrieanwendungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	94 W
Anzahl an Transistoren	1
Gehäusegröße	TO-3PF
Montage-Typ	THT
Channel-Typ	N
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Abmessungen	15.7 x 5.7 x 24.7mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Nennleistung	325mJ
Gate-Kapazität	2590pF

RS Best.-Nr.:: 185-7999
Herst. Teile-Nr.:: FGAF40S65AQ
Marke:: onsemi

Datasheet FGAF40S65AQ