- RS Best.-Nr.:
- 185-8956
- Herst. Teile-Nr.:
- FGAF40S65AQ
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- KR
Produktdetails
Mit der neuartigen Feldstop-IGBT-Technologie bietet die neue Feldstopp-Baureihe von ON Semiconductor der 4. Generation von RC IGBTs die optimale Leistung für Umrichter-PFC-Stufe von Consumer-Anwendungen und industriellen Anwendungen.
Maximale Abschlusstemperatur: TJ = 175 °C.
Positiv temperiert koeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6V(typ.) @ IC = 40A
Hohe Eingangsimpedanz
100 % der Teile wurden auf ILM getestet
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verschärfte Parameterverteilung
IGBT mit monolithischer Rückleiterdiode
Anwendungen
Haushaltsgeräte
PFC, Schweißgerät
Industrieanwendungen
Positiv temperiert koeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6V(typ.) @ IC = 40A
Hohe Eingangsimpedanz
100 % der Teile wurden auf ILM getestet
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verschärfte Parameterverteilung
IGBT mit monolithischer Rückleiterdiode
Anwendungen
Haushaltsgeräte
PFC, Schweißgerät
Industrieanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 94 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-3PF |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.7 x 5.7 x 24.7mm |
Nennleistung | 325mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Gate-Kapazität | 2590pF |