Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3505P
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Marke:
- Bourns
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Produktdetails
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.
600 V, 20 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 192 W |
| Konfiguration | Einfachdiode |
| Gehäusegröße | TO-247 |