- RS Best.-Nr.:
- 791-9349
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 23.04.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.2.436
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 20 | CHF.2.436 | CHF.12.18 |
25 - 45 | CHF.2.373 | CHF.11.855 |
50 - 120 | CHF.2.31 | CHF.11.54 |
125 - 245 | CHF.2.247 | CHF.11.256 |
250 + | CHF.2.195 | CHF.10.962 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 791-9349
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 167 W |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |