- RS Best.-Nr.:
- 795-8981
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF6NC60HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 08.04.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.1.418
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 20 | CHF.1.418 | CHF.7.067 |
25 - 45 | CHF.1.344 | CHF.6.71 |
50 - 120 | CHF.1.208 | CHF.6.038 |
125 - 245 | CHF.1.092 | CHF.5.45 |
250 + | CHF.1.029 | CHF.5.166 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 795-8981
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF6NC60HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 6 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |