STMicroelectronics IGBT / 6 A ±20V max., 1200 V 25 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 795-9094
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF3NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 11.11.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.2.142
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 20 | CHF.2.142 | CHF.10.721 |
| 25 - 45 | CHF.2.037 | CHF.10.185 |
| 50 - 120 | CHF.1.838 | CHF.9.167 |
| 125 - 245 | CHF.1.649 | CHF.8.243 |
| 250 + | CHF.1.565 | CHF.7.833 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 795-9094
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF3NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 25 W |
| Gehäusegröße | TO-220FP |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |