- RS Best.-Nr.:
- 795-9136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 21.11.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
CHF.5.03
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | CHF.5.03 | CHF.10.059 |
10 - 24 | CHF.4.295 | CHF.8.589 |
26 - 98 | CHF.4.053 | CHF.8.117 |
100 - 498 | CHF.3.476 | CHF.6.951 |
500 + | CHF.3.087 | CHF.6.185 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 795-9136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 220 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |