Littelfuse IGBT / 50 A ±15V max., 365 V 165 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 805-1753
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207ABNT4G
- Marke:
- Littelfuse
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 365 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±15V |
| Verlustleistung max. | 165 W |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |