- RS Best.-Nr.:
- 807-0751
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA50N100BNTDTU
- Marke:
- ON Semiconductor
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1000 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 63 W |
Gehäusegröße | TO-3P |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 807-0751
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA50N100BNTDTU
- Marke:
- ON Semiconductor