onsemi Power Switch IC Last 250mΩ 5,5 V max. 1 Ausg.

Die FPF1007/8/9 sind P-Kanal-MOSFET-Lastschalter mit niedrigem RDS, die in einer Auswahl von 10-μs-, 80-μs- und 1-ms-Einschaltoptionen für transiente/Einschaltstromregelung angeboten werden. Zur Unterstützung von Trends bei mobilen Anwendungsanforderungen wurde die minimale Betriebseingangsspannung auf 1,2 V reduziert, die Eingangsstromleckage wurde minimiert, um die Batterielebensdauer zu verlängern, und der ESD-Schutz wurde entwickelt, um mindestens 8 kV (HBM) und 2 kV (CDM) standzuhalten. Der Schalter wird über einen Active-High-Logikeingang (EIN-Stift) gesteuert, sodass er direkt mit einem Niederspannungs-Steuersignal verbunden werden kann. Ein interner EIN-Pin Pull-Down-Widerstand schützt vor einem unbeabsichtigten Einschalten des Geräts im Ausgangszustand. Ein integrierter Pull-Down-Widerstand am Ausgang wird aktiviert, wenn der Schalter ausgeschaltet wird, und bietet eine schnelle und robuste Entladung der Ausgangslast.

1,2 bis 5,5 V Eingangsspannungsbereich
Typische RON = 30 mΩ @ VIN = 5,5 V
Typische RON = 40 mΩ @ VIN = 3,3 V
Feste Anstiegszeit mit drei verschiedenen Einschaltzeiten: 10 μs/80 μs/1 ms
Niedriger< 10 μA bei VIN = 3,3 V Ruhestrom
Interner EIN-Pin Pull-Down
Ausgangsentladungsfunktion
ESD-Schutz über 8000 V HBM und 2000 V CDM
Anwendungen
Medientabletten
Speicher und Peripheriegeräte
Mobile Handsets
WLAN-Karte und Breitbandzugang
PMP/MP3-Player