onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 5V 16-Pin SOIC 7.9ns
- RS Best.-Nr.:
- 185-8102
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5702DR2G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5702DR2G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen
Niedrige VOH und VOL
Aktive Miller-Klemme
DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten
Vollständige Erweiterung von IGBT
Verhindert falsches Gate-Einschalten
Verbesserter programmierbarer Schutz
Anwendungen
Endprodukte
DC/AC-Wechselrichter
Akkuladegerät
Automobil-PTC-Heizgerät
Integrierte Ladegeräte
Xev-Ladegeräte
KFZ-Wechselrichter
Wechselrichter für Traktion
Niedrige VOH und VOL
Aktive Miller-Klemme
DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten
Vollständige Erweiterung von IGBT
Verhindert falsches Gate-Einschalten
Verbesserter programmierbarer Schutz
Anwendungen
Endprodukte
DC/AC-Wechselrichter
Akkuladegerät
Automobil-PTC-Heizgerät
Integrierte Ladegeräte
Xev-Ladegeräte
KFZ-Wechselrichter
Wechselrichter für Traktion
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Ausgangsstrom | 6,8 A, 7,8 A |
| Versorgungsspannung | 5V |
| Pinanzahl | 16 |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Abfallzeit | 7.9ns |
| Anzahl der Ausgänge | 1 |
| Anstiegszeit | 9.2ns |
| Topologie | Gate-Treiber |
| Ein-/Ausgangsabhängigkeit | Independent |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Zeitverzögerung | 75ns |
| Brücken-Typ | Halbbrücke |
| Montage-Typ | SMD |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |