- RS Best.-Nr.:
- 190-4939
- Herst. Teile-Nr.:
- VNB10N07-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 190-4939
- Herst. Teile-Nr.:
- VNB10N07-E
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die STMicroelectronics VNB10N07 sind monolithische Geräte, die mit VI Power M0-Technologie hergestellt wurden und als Ersatz für Standard-MOSFETs in DC- bis 50-KHz-Anwendungen dienen. Er verfügt über eine integrierte thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsklemme zum Schutz des Chips in rauen Umgebungen. Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangsstift erkannt werden.
ESD-Schutz
Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET
Lineare Strombegrenzung
Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET
Lineare Strombegrenzung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Logik-Typ | TTL |
Ausgangsstrom | –14 A |
Versorgungsspannung | 18V |
Pinanzahl | 2 |
Gehäusegröße | D2PAK |
Abfallzeit | 2.5µs |
Anzahl der Ausgänge | 1 |
Anstiegszeit | 2µs |
Topologie | Low-Side |
Anzahl der Treiber | 1 |
Montage-Typ | SMD |