IXYS HiperFET, Q-Class IXFX30N100Q2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 1000 V / 30 A 735 W, 3-Pin PLUS247
- RS Best.-Nr.:
- 193-947
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX30N100Q2
- Marke:
- IXYS
Nicht mehr im Sortiment
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- 193-947
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX30N100Q2
- Marke:
- IXYS
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V |
| Gehäusegröße | PLUS247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Verlustleistung max. | 735 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 5.21mm |
| Länge | 16.13mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 186 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 21.34mm |
| Serie | HiperFET, Q-Class |
- RS Best.-Nr.:
- 193-947
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX30N100Q2
- Marke:
- IXYS