Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 301-316
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.95V
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm

RS Best.-Nr.:: 301-316
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon