STripFET STP19NF20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 15 A, 90 W, TO-220 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 15 A
Drain-Source-Spannung max. 200 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 90 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.6mm
Länge 10.4mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 9.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Serie STripFET
Transistor-Werkstoff Si
1040 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .0.445
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +
CHF.0.445
CHF.4.423
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: