- RS Best.-Nr.:
- 463-038
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD2955T4G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 55 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 6.22mm |
Länge | 6.73mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Höhe | 2.38mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |