NTD2955T4G P-Kanal MOSFET, 60 V / 12 A, 55 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 12 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 180 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Verlustleistung max. 55 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 6.22mm
Länge 6.73mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V
Höhe 2.38mm
Transistor-Werkstoff Si
50 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
1580 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .0.67
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10
CHF.0.67
CHF.6.670
20 - 40
CHF.0.632
CHF.6.342
50 - 90
CHF.0.609
CHF.6.026
100 - 190
CHF.0.43
CHF.4.318
200 +
CHF.0.410
CHF.4.096
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: