BSP122,115 N-Kanal MOSFET, 200 V / 550 mA, 1,5 W, SOT-223 (SC-73) 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 508-591
  • Herst. Teile-Nr. BSP122,115
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 550 mA
Drain-Source-Spannung max. 200 V
Gehäusegröße SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 4
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 1,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 1.7mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.7mm
Breite 3.7mm
2050 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .0.187
(ohne MwSt.)
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Pro Stück
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10 +
CHF.0.187
CHF.1.849
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