- RS Best.-Nr.:
- 103-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- STF13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STF13NM60N
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- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | MDmesh |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Länge | 10.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Höhe | 16.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 103-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- STF13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics