MDmesh STF13NM60N N-Kanal MOSFET, 600 V / 11 A, 25 W, TO-220FP 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 11 A
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße TO-220FP
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 360 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 25 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 30 nC @ 10 V
Länge 10.4mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Serie MDmesh
Höhe 16.4mm
400 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 50)
CHF .2.937
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +
CHF.2.937
CHF.146.973
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