BSH103,215 N-Kanal MOSFET, 30 V / 850 mA, 500 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 103-7554
  • Herst. Teile-Nr. BSH103,215
  • Marke Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 850 mA
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Länge 3mm
Breite 1.4mm
Höhe 1mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,1 nC bei 4,5 V
27000 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.105
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000
CHF.0.105
CHF.301.903
6000 - 12000
CHF.0.094
CHF.287.861
15000 - 27000
CHF.0.094
CHF.273.819
30000 - 57000
CHF.0.082
CHF.259.777
60000 +
CHF.0.082
CHF.245.735
*Bitte VPE beachten