- RS Best.-Nr.:
- 103-8142
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV65XP,215
- Marke:
- Nexperia
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- PMV65XP,215
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 3,9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 76 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 0.9V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.47V |
Verlustleistung max. | 1,92 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,6 nC @ 4,5 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3mm |
Breite | 1.4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 103-8142
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV65XP,215
- Marke:
- Nexperia