PMV65XP,215 P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,9 A, 1,92 W, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 103-8142
  • Herst. Teile-Nr. PMV65XP,215
  • Marke Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

P-Kanal-MOSFET, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 76 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 0.9V
Gate-Schwellenspannung min. 0.47V
Verlustleistung max. 1,92 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,6 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 1.4mm
9000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.129
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 6000
CHF.0.129
CHF.379.134
9000 +
CHF.0.12
CHF.344.029
*Bitte VPE beachten