Nexperia PSMN7R0-60YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 124-2415
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R0-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 89 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 117 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Länge | 5mm |
| Breite | 4.1mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Höhe | 1.1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 124-2415
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R0-60YS,115
- Marke:
- Nexperia