IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 125-8041
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN360N10T
- Marke:
- IXYS
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 360 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-227 |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET |
| Montage-Typ | Schraubmontage |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 830 W |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 38.23mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 525 nC @ 10 V |
| Breite | 25.07mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 9.6mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 125-8041
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN360N10T
- Marke:
- IXYS