ROHM RQ3L050GN RQ3L050GNTB N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 14,8 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 133-3297
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L050GNTB
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | HSMT |
| Serie | RQ3L050GN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 86 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 14,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 3.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,3 nC @ 10 V |
| Länge | 3.3mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.85mm |
- RS Best.-Nr.:
- 133-3297
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L050GNTB
- Marke:
- ROHM