- RS Best.-Nr.:
- 133-3309
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6P015SPTR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 133-3309
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6P015SPTR
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | TSMT-6 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 540 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 1,25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.8mm |
Länge | 3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 0.95mm |
Serie | RQ6P015SP |
- RS Best.-Nr.:
- 133-3309
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6P015SPTR
- Marke:
- ROHM