- RS Best.-Nr.:
- 136-4789
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV40UN2R
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4,4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Serie | PMV40UN2 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 44 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 0.9V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
Verlustleistung max. | 5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7 nC @ 4,5 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3mm |
Höhe | 1mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 136-4789
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV40UN2R
- Marke:
- Nexperia