BSM BSM300D12P2E001 N-Kanal, Dual SiC-Leistungsmodul, 1200 V / 300 A, 1875 W, C 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 144-2260
  • Herst. Teile-Nr. BSM300D12P2E001
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: JP
Produktdetails

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 A
Drain-Source-Spannung max. 1200 V
Gehäusegröße C
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 4
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V
Verlustleistung max. 1875 W
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Breite 57.95mm
Serie BSM
Betriebstemperatur min. –40 °C
Höhe 17mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff SiC
Länge 152mm
Voraussichtlich ab 25.03.2021 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .726.70
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
CHF.726.70
5 - 9
CHF.585.317
10 - 24
CHF.570.303
25 +
CHF.556.051