- RS Best.-Nr.:
- 144-2260
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM300D12P2E001
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 300 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | C |
Serie | BSM |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.6V |
Verlustleistung max. | 1875 W |
Länge | 152mm |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 57.95mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Höhe | 17mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 144-2260
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM300D12P2E001
- Marke:
- ROHM