STMicroelectronics STripFET STW120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 146-0412
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
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CHF.3.581
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 60 | CHF.3.581 | CHF.107.415 |
| 90 - 480 | CHF.3.003 | CHF.90.248 |
| 510 - 960 | CHF.2.667 | CHF.79.947 |
| 990 - 4980 | CHF.2.468 | CHF.74.12 |
| 5010 + | CHF.2.027 | CHF.60.795 |
| *Bitte VPE beachten | ||
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- STW120NF10
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | STripFET |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 312 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 15.75mm |
| Breite | 5.15mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 172 nC bei 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 20.15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 146-0412
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics