STripFET STW120NF10 N-Kanal MOSFET, 100 V / 110 A, 312 W, TO-247 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 110 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 312 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Länge 15.75mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie STripFET
Höhe 20.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 172 nC bei 10 V
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 5.15mm
1290 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 30)
CHF .3.534
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +
CHF.3.534
CHF.106.02
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