- RS Best.-Nr.:
- 146-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86180
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 146-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86180
- Marke:
- ON Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 151 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | PQFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 138 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 @ 10 V nC |
Länge | 5mm |
Breite | 6mm |
Serie | PowerTrench |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Höhe | 1.05mm |
- RS Best.-Nr.:
- 146-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86180
- Marke:
- ON Semiconductor