- RS Best.-Nr.:
- 146-4372
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH60N65X2
- Marke:
- IXYS
- RS Best.-Nr.:
- 146-4372
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH60N65X2
- Marke:
- IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2
Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 52 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 780 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
Breite | 5.21mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 16.13mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Serie | HiperFET |
Höhe | 21.34mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |