RQ6E030ATTCR P-Kanal, Dual MOSFET, 30 V / 3 A, 1,25 W, TSMT 6-Pin

  • RS Best.-Nr. 150-1530
  • Herst. Teile-Nr. RQ6E030ATTCR
  • Marke ROHM
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandKleines SMD-Gehäuse (TSMT6)Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 3 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße TSMT
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 135 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 1,25 W
Gate-Source Spannung max. ±12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,4 nC @ 10 V
Höhe 0.95mm
Breite 1.8mm
Diodendurchschlagsspannung 1.2V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
400 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 100)
CHF .0.222
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 - 100
CHF.0.222
CHF.22.116
200 - 400
CHF.0.199
CHF.20.361
500 - 900
CHF.0.187
CHF.18.489
1000 - 4900
CHF.0.164
CHF.16.733
5000 +
CHF.0.164
CHF.16.382
*Bitte VPE beachten