Nexperia PMDXB600UNEZ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 4025 mW, 8-Pin DFN1010B-6
- RS Best.-Nr.:
- 151-3178
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDXB600UNEZ
- Marke:
- Nexperia
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Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V. Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer breiten Palette von ein- und zweikanaligen N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Hohe Zuverlässigkeit durch unsere bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen tragbarer Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.
Duales N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), duales N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-6 (SOT1216)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 470 mΩ
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | DFN1010B-6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.95V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.45V |
| Verlustleistung max. | 4025 mW |
| Gate-Source Spannung max. | 8 V |
| Länge | 1.15mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Breite | 1.05mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,4 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.4mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 151-3178
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDXB600UNEZ
- Marke:
- Nexperia