PMDXB600UNEZ N-Kanal, Hex MOSFET, 20 V / 600 mA, 4025 mW, DFN1010B-6, SOT1216 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 151-3178
  • Herst. Teile-Nr. PMDXB600UNEZ
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V. Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer breiten Palette von ein- und zweikanaligen N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Hohe Zuverlässigkeit durch unsere bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen tragbarer Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.

Duales N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), duales N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-6 (SOT1216)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 470 mΩ

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 600 mA
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße DFN1010B-6, SOT1216
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 3 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 0.95V
Gate-Schwellenspannung min. 0.45V
Verlustleistung max. 4025 mW
Gate-Source Spannung max. 8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 6
Breite 1.05mm
Höhe 0.4mm
Länge 1.15mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,4 nC
Betriebstemperatur min. –55 °C
8475 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.328
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 100
CHF.0.328
CHF.8.215
125 - 1225
CHF.0.199
CHF.5.032
1250 - 2475
CHF.0.152
CHF.3.885
2500 - 3725
CHF.0.152
CHF.3.69
3750 +
CHF.0.140
CHF.3.511
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: