PMV20XNEAR N-Kanal, 3 MOSFET, 20 V / 6,3 A, 6,94 W, SOT23, TO-236AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 153-0781
  • Herst. Teile-Nr. PMV20XNEAR
  • Marke Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 6,3 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOT23, TO-236AB
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 34 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.25V
Gate-Schwellenspannung min. 0.75V
Verlustleistung max. 6,94 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. 12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 3
Länge 3mm
Breite 1.4mm
Automobilstandard AEC-Q101
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,9 nC
Höhe 1mm
36550 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.293
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 225
CHF.0.293
CHF.7.395
250 - 600
CHF.0.164
CHF.4.213
625 - 1225
CHF.0.152
CHF.3.920
1250 - 2475
CHF.0.152
CHF.3.80
2500 +
CHF.0.152
CHF.3.721
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: