- RS Best.-Nr.:
- 162-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD16322Q5
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 162-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD16322Q5
- Marke:
- Texas Instruments
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 97 A |
Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
Gehäusegröße | SON |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 7,2 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
Verlustleistung max. | 3,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +10 V |
Länge | 6.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,8 nC @ 4,5 V |
Breite | 5.1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.05mm |
Serie | NexFET |