NexFET CSD18531Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 134 A, 3,1 W, SON 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 134 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 5,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V
Verlustleistung max. 3,1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 5mm
Höhe 1.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 4,5 V
Länge 5.8mm
Serie NexFET
Voraussichtlich ab 04.01.2021 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF .1.088
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +
CHF.1.088
CHF.2'714.783
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