Texas Instruments FemtoFET CSD23381F4 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,3 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
- RS Best.-Nr.:
- 162-8559
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD23381F4
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 162-8559
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD23381F4
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
P-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V |
| Gehäusegröße | PICOSTAR |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 970 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
| Verlustleistung max. | 500 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | +8 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,14 nC @ 4,5 V |
| Breite | 0.6mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.35mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | FemtoFET |
- RS Best.-Nr.:
- 162-8559
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD23381F4
- Marke:
- Texas Instruments