NexFET CSD87350Q5D N-Kanal, Dual MOSFET-Modul, 30 V / 120 A, 12 W, SON 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

Leistungs-MOSFET-Module, Texas Instruments

Halbbrücken-NexFET-Power Block

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 120 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1,2 mΩ, 5 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 12 W
Transistor-Konfiguration Serie
Gate-Source Spannung max. +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,4 nC @ 4,5 V, 20 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.1mm
Breite 5.1mm
Höhe 1.5mm
Serie NexFET
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